《模拟电子技术基础》详细习题答案（童诗白，华成英版，高教版）

丌官娅硕

第一章 常用半导体器件
自 测 题
    一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
    （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（  ）
    （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（  ）
    （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（  ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
                                               （  ）
    （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（  ）
    （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（  ）
解：（1）√   （2）×   （3）√   （4）×   （5）√   （6）×

    二、选择正确答案填入空内。
    （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将     。
           A. 变窄       B. 基本不变      C. 变宽
    （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是     。
           A.  ISeU       B.         C.  
    （3）稳压管的稳压区是其工作在     。
           A. 正向导通    B.反向截止      C.反向击穿
    （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为     。

《模拟电子技术基础》详细习题答案（童诗白，华成英版，高教版）.rar (5.24 MB, 下载次数: 36, 售价: 1 火花)

2014-3-29 12:09 上传

点击文件名下载附件

slimchao

火哥威武啊!

yinhe911

谢谢分享！！