全部存储芯片 一次性说清缩写中英文对照

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存储芯片类型中英文对照及容量范围英文名称英文全称中文名称容量范围
EEPROMElectrically Erasable Programmable Read-Only Memory电可擦写可编程只读存储器几Kb到几Mb
Flash MemoryFlash Memory闪存几Mb到几百Gb
FRAMFerroelectric RAM铁电存储器几Kb到几Mb
SRAMStatic RAM静态随机存取存储器几Kb到几十Mb
NAND FlashNAND Flash MemoryNAND闪存几Gb到几百Gb
NOR FlashNOR Flash MemoryNOR闪存几Mb到几百Mb
MRAMMagnetoresistive RAM磁阻随机存取存储器几Mb到几十Mb
NVSRAMNon-Volatile SRAM非易失性静态存储器几Kb到几Mb
DDRDouble Data Rate SDRAM双倍数据率同步动态存储器几百Mb到几十Gb
eMMCEmbedded MultiMediaCard嵌入式多媒体卡几GB到几百GB
SD卡/MicroSD卡Secure Digital Card安全数字卡几GB到几百GB
UFSUniversal Flash Storage通用闪存几GB到几百GB
Optane MemoryOptane Memory傲腾内存几十GB到几百GB
ReRAMResistive RAM电阻式随机存取存储器几Mb到几十Mb
PCRAMPhase-Change RAM相变存储器几百Mb到几GB
STT-MRAMSpin-Transfer Torque MRAM自旋转移力矩磁阻存储器几Mb到几十Mb
HDDHard Disk Drive硬盘几百GB到几十TB
SSDSolid State Drive固态硬盘几百GB到几TB
RRAMResistive RAM电阻式随机存取存储器几Mb到几十Mb
3D XPoint3D XPoint Memory3D XPoint存储器几十GB到几百GB
NVDIMMNon-Volatile DIMM非易失性DIMM几GB到几十GB
HBMHigh Bandwidth Memory高带宽存储器几GB到几十GB
LPDDRLow Power Double Data Rate低功耗双倍数据率存储器几百Mb到几十Gb
SLC NANDSingle-Level Cell NAND单层单元NAND几Gb到几十Gb
MLC NANDMulti-Level Cell NAND多层单元NAND几Gb到几百Gb
TLC NANDTriple-Level Cell NAND三层单元NAND几百Gb到几Tb
QLC NANDQuad-Level Cell NAND四层单元NAND几百Gb到几Tb
DRAMDynamic RAM动态随机存取存储器几Mb到几百Gb
EPROMErasable Programmable Read-Only Memory可擦写可编程只读存储器几Kb到几Mb
PROMProgrammable Read-Only Memory可编程只读存储器几Kb到几Mb
存储芯片类型选型指南存储芯片类型英文全称中文名优点缺点推荐应用场景典型接口容量范围应用示例主要品牌一年出货量（估计）
EEPROMElectrically Erasable Programmable Read-Only Memory电可擦写可编程只读存储器擦写次数高，长时间数据保存，逐字节操作容量较小，速度较慢配置参数、校准数据I2C、SPI、Microwire几Kb到几Mb工业控制器中存储配置信息Microchip, STMicroelectronics, ON Semiconductor几亿颗
Flash MemoryFlash Memory闪存大容量，长时间数据保存擦写次数有限，逐块操作固件存储、文件系统SPI、Parallel几Mb到几百Gb嵌入式设备中的固件存储Micron, Samsung, Western Digital数十亿颗
FRAMFerroelectric RAM铁电存储器无限擦写次数，高速读写，长时间数据保存容量较小，成本较高高频数据记录、配置参数I2C、SPI、Parallel几Kb到几Mb医疗设备中存储病人数据Fujitsu, Texas Instruments, Cypress几千万颗
SRAMStatic RAM静态随机存取存储器高速读写掉电数据丢失，容量较小高速缓存、临时数据存储Parallel、SPI、I2C几Kb到几十MbCPU缓存Cypress, Renesas, ISSI几亿颗
NAND FlashNAND Flash MemoryNAND闪存大容量，适合海量数据存储擦写次数有限，需要文件系统管理大容量数据存储、固件更新Parallel、SPI几Gb到几百Gb智能手机中的数据存储Samsung, Kioxia, Micron数百亿颗
NOR FlashNOR Flash MemoryNOR闪存读速度快，适合代码存储和执行容量较小，擦写速度较慢固件存储、代码执行Parallel、SPI几Mb到几百Mb嵌入式系统中的固件执行Winbond, Macronix, Cypress数十亿颗
MRAMMagnetoresistive RAM磁阻随机存取存储器非易失性，高速读写，无限擦写次数容量较小，成本较高高速缓存、持久数据存储Parallel、SPI几Mb到几十Mb工业自动化中的高速缓存Everspin, NVE Corporation几百万颗
NVSRAMNon-Volatile SRAM非易失性静态存储器SRAM速度，掉电数据保护成本较高高速数据存储、掉电保护Parallel、SPI、I2C几Kb到几Mb工业控制系统中的配置数据存储Cypress, Renesas几百万颗
DDRDouble Data Rate SDRAM双倍数据率同步动态存储器高速读写，大容量掉电数据丢失，功耗较高主内存、高速缓存Parallel几百Mb到几十Gb计算机的主内存Samsung, SK Hynix, Micron数十亿颗
eMMCEmbedded MultiMediaCard嵌入式多媒体卡嵌入式存储，大容量，非易失性速度较慢嵌入式系统、移动设备存储eMMC接口几GB到几百GB智能手机中的应用程序存储SanDisk, Samsung, Kingston数十亿颗
SD卡/MicroSD卡Secure Digital Card安全数字卡大容量，易于更换和升级相对较慢消费电子产品、相机、智能设备SD接口几GB到几百GB数码相机中的照片存储SanDisk, Samsung, Kingston数十亿颗
UFSUniversal Flash Storage通用闪存高速读写，适合高性能移动设备成本较高，功耗较高高性能移动设备、嵌入式存储UFS接口几GB到几百GB高端智能手机中的数据存储Samsung, Micron, Western Digital数亿颗
Optane MemoryOptane Memory傲腾内存高速度，低延迟，非易失性成本较高高速缓存、持久数据存储NVMe、PCIe几十GB到几百GB数据库中的高速缓存Intel几百万颗
ReRAMResistive RAM电阻式随机存取存储器高速度，非易失性，高密度，低功耗尚未广泛普及，成本较高高速和高密度存储，物联网设备SPI、Parallel几Mb到几十Mb物联网设备中的数据存储Crossbar, Panasonic几百万颗
PCRAMPhase-Change RAM相变存储器中等速度和延迟，非易失性，高耐久性成本较高高耐久性存储需求SPI、Parallel几百Mb到几GB高可靠性嵌入式系统Micron几百万颗
STT-MRAMSpin-Transfer Torque MRAM自旋转移力矩磁阻存储器高速度，非易失性，高耐久性成本较高高速和高耐久性存储需求SPI、Parallel几Mb到几十Mb工业设备中的实时数据存储Everspin, Samsung几百万颗
HDDHard Disk Drive硬盘大容量，价格低廉速度较慢，机械结构易损坏大量低成本存储，服务器存储和备份SATA、SAS几百GB到几十TB数据中心中的海量数据存储Seagate, Western Digital数亿块
SSDSolid State Drive固态硬盘高速度，低延迟价格较高操作系统、应用程序、数据库存储SATA、NVMe、PCIe几百GB到几TB笔记本电脑中的系统存储Samsung, Western Digital, Intel数亿块十八、总结与应用示例在选择存储芯片时，考虑以下几个关键因素：

• 容量需求： 确定需要存储的数据量，例如，物联网设备通常需要几MB到几十MB的存储，而数据中心可能需要几TB到几十TB的存储。
• 速度要求： 根据应用场景确定读写速度和延迟要求。例如，计算机主内存需要高速存取，而嵌入式系统可能更关注非易失性和数据安全。
• 耐久性： 考虑擦写次数和使用寿命。例如，高频数据记录需要耐久性高的存储芯片如FRAM或MRAM。
• 数据保持： 确定是否需要非易失性存储。例如，配置数据和固件通常需要非易失性存储。
• 功耗： 低功耗需求的应用需要特别关注功耗参数，例如，物联网设备需要低功耗的存储芯片。
• 接口类型： 确保所选存储芯片与系统接口兼容。例如，嵌入式系统可能更适合使用SPI或I2C接口的存储芯片。
  

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