请教片内FLASH地址问题

yinhao

请问我们的程序烧写到芯片的什么地方？
我看工程配置Target那里IROM1是从0x08000000开始0x80000（512K）大的区域。code是从0x08000000开始写吗？

#define FLASH_BASE            ((uint32_t)0x08000000) /*!< FLASH base address in the alias region */

在官方库例程里，FLASH的写地址是0x08008000~0x0800C000,这是固定的？还是人为划分这一块来用的？

那我烧写完程序之后，又往0x08008000这里写入数据，会不会破坏了烧进去的代码啊？

比如我用103VET   512K的flash，2K/page。  真的是从0x08000000开始每2K一页地存储CODE吗？  我是否在编译过后查看Program Size那里的code大小来安排我存储数据的地址呢？RO-data RW-data ZI-data 这三个东西需要考虑吗？

韦嘉淑

有可能官方划分了前面的内容给中断向量表的，你在线调试，读取那个flash的内容出来，如果是全0xFF表示没有用

yinhao

韦嘉淑 发表于 2014-3-19 11:34
有可能官方划分了前面的内容给中断向量表的，你在线调试，读取那个flash的内容出来，如果是全0xFF表示没有用 ...

按你的说法我看到0x08000000~0x08002143都有数据，0x2143=8515。然后我看程序编译完，code = 3316, RO-data = 336, RW-data = 128, ZI-data = 1028。这之间是怎么算的您知道吗？  如果我要用片内flash来存商量数据的话，是不是从后往前寸比较好呢，从最后一页开始存。

韦嘉淑

yinhao 发表于 2014-3-19 11:43
按你的说法我看到0x08000000~0x08002143都有数据，0x2143=8515。然后我看程序编译完，code = 3316, RO-da ...

肯定后面比较安心啊，你可以修改一下flash的地址范围，后面预留位置，然后就用作自己的代码