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野火I2C里的程序有BUG

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发表于 2015-12-6 19:59:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
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在图3中,没有考虑的count 〈 NumOfSingle的情况,这样的话,在At24C02的第一页中就存不下数据,多余的数据就会从地址0开始存储,这样似乎不太合理
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发表于 2015-12-7 09:10:38 | 显示全部楼层
EEPROM与FLASH不一样,它的内部不是必须按页对齐的,这个页写只是加速EEPROM的数据写入速度,不用每次都向EEPROM给地址而已。
所以这里当NumByteToWrite<一页的大小,就直接用页写入,从writeaddress开始,写够NumByteToWrite个字节。不会存在一页中存不下数据的问题。

    /* If NumByteToWrite < I2C_PageSize */
    if(NumOfPage== 0)
    {
      I2C_EE_PageWrite(pBuffer, WriteAddr, NumOfSingle);
      I2C_EE_WaitEepromStandbyState();
    }
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发表于 2015-12-7 11:21:07 | 显示全部楼层
那你用实验验证过没有              
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 楼主| 发表于 2015-12-8 16:03:22 | 显示全部楼层
不需要验证,在SPI的例子程序里面,程序已经改过来啦
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 楼主| 发表于 2015-12-8 16:04:23 | 显示全部楼层
fire 发表于 2015-12-7 11:21
那你用实验验证过没有

不需要验证,在SPI里面的例子程序里面已经改过来啦,283页里面
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发表于 2015-12-11 10:29:08 | 显示全部楼层
WSTM 发表于 2015-12-8 16:04
不需要验证,在SPI里面的例子程序里面已经改过来啦,283页里面

SPI的不一样,SPI的必须按页为单位擦写。


EEPROM支持的页写入只是一种加速的I2C的传输时序,实际上并不要求每次都以页为单位进行读写,EEPROM是支持随机访问的(直接读写任意一个地址),如前面的单个字节写入。在某些存储器,如FLASH,它是必须按照Block写入的,例如每个Block为256或512字节,数据写入的最小单位是Block,写入前都需要擦除整个Block,而我们的EEPROM数据写入的最小单位是“字节”而不是“页”,数据写入前不需要擦除整页。
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