野火电子论坛

 找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 12017|回复: 4

STM32 FLASH可以擦除多少次,程序可以存储多少年

[复制链接]
发表于 2017-6-22 10:38:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
擦除次数为10000次,程序可存储的时间有30年,10年,20年这三个差别,具体可存储多少年得根据你的FLASH擦除的次数和存储的温度来决定。
网上一直对这个说法不一,现在我贴一张官方手册里面的截图。
1.png

回复

使用道具 举报

发表于 2017-6-22 10:41:30 | 显示全部楼层
手册中数据保存期限是指1000次和10,000次闪存擦写后的保存期限。在所有的工作温度范围内经1000次擦写后,在+85摄氏度的保存环境下,STM32的数据保存期限可达业界领先的30年;在所有的工作温度范围内经10,000次擦写后,在+55摄氏度的保存环境下(通常这是汽车工业要求的保存环境),STM32的数据保存期限可惊人地达到20年
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2017-6-22 10:45:32 | 显示全部楼层
666                        
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2017-6-22 10:52:44 | 显示全部楼层
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2017-6-22 11:35:16 | 显示全部楼层

ST在2008年3月21日更新了STM32增强型(STM32F103)和STM32基本型(STM32F101)的数据手册。在最新的数据手册中,再次确认STM32的闪存存储器的擦写次数指标,在整个工作温度范围超过10,000次,即STM32F101基本型的-40摄氏度至+85摄氏度,STM32F103增强型的-40摄氏度至+85摄氏度,或部分型号的-40摄氏度至+105摄氏度。(关于芯片的工作温度范围请参考下述数据手册的第七章)

新手册给出了更多数据保存期限的测试条件。因为数据保存期限是一个非常重要的指标,客户需要了解更加全面的信息,因此ST比其他MCU厂家给出了更多的细节。

闪存存储器的数据保存期限随擦写次数的增加而变化,手册中数据保存期限是指1000次和10,000次闪存擦写后的保存期限。在所有的工作温度范围内经1000次擦写后,在+85摄氏度的保存环境下,STM32的数据保存期限可达业界领先的30年;在所有的工作温度范围内经10,000次擦写后,在+55摄氏度的保存环境下(通常这是汽车工业要求的保存环境),STM32的数据保存期限可惊人地达到20年。

当与其他MCU产品比较时,十分必要去检查闪存擦写周期是在什么温度环境下检测的数据保存期限。例如,“在+85摄氏度时数据保存期限为10年”,因为没有给出闪存擦写周期,这样的描述是不完整的。
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

联系站长|手机版|野火电子官网|野火淘宝店铺|野火电子论坛 ( 粤ICP备14069197号 ) 大学生ARM嵌入式2群

GMT+8, 2024-11-21 22:30 , Processed in 0.030193 second(s), 28 queries , Gzip On.

Powered by Discuz! X3.4

Copyright © 2001-2021, Tencent Cloud.

快速回复 返回顶部 返回列表