快恢复二极管的分类及优势

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    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。
    从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
    HDF860N快恢复二极管相关参数
    封装形式：贴片封装型
    结构：其他
    类别：贴片
    电流容量：其他
    频率类型：其他
    品牌：HL
    型号：HDF860N
    快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P 型、N 型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。
    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。
    快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
    快速恢复二极管反向恢复时间在50-200NS范围内，可用于100KHZ以下的开关脉冲的整流、钳位及开关管的阻尼电路。
    根据芯片工艺不同，反向恢复时间也不同，通常分为四大类：
    1、普通整流二极管，反向恢复时间大于 500nS（纳秒）；
    2、快恢复整流二极管，反向恢复时间 150-500nS（纳秒）；
    3、高效率整流二极管，反向恢复时间 50-100nS（纳秒）；
    4、超快速整流二极管，反向恢复时间 15-35nS（纳秒）；
    5、肖特基整流二极管，理论上无反向恢复时间，实际小于 10nS（纳秒）。
    快恢复二极管：可理解为快速二极管，高频二极管，通常用在开关电源做整流二极管，逆变电路做续流、反压吸收二极管。
    二极管是单PN结半导体器件，具有单向导电特性，当施加正向电压时导通、反向电压时截止。当电压翻转，二极管从正向导电转换为反向截止状态需要一段时间才能完成，这段时间称为反向恢复时间。

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