MOS场效应管AO3415A的性能参数

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    AO3415A使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和操作与门电压1.8v。该设备适用于负荷开关的应用程序使用。
    AO3415A参数
    VDS公司-20 v
    ID(vg = -4.5 v)4
    在vg RDS(上)(= -4.5 v)< 41 m?
    在vg RDS(上)(= -2.5 v)< 53 m?
    在vg RDS(上)(= -1.8 v)< 65 m?
    防静电保护
    门负责测试电路和波形

    AO3415A性能
    种类：绝缘栅(MOSFET)
    沟道类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
    导电方式：增强型
    封装外形：SMD(SO)/表面封装
    产品系列：AO3400 AO3401 AO3407 AO3415
    额定电流：4
    应用范围：其他
    场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。
    有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。
    MOS场效应管有加强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
    场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
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