【分享】ST M28W系列 nor flash 存储器写入分析 ( numonyx M28W320FCB)

abcrazy

网上查找 nor flash 写入方法，千遍一律都是以下命令的芯片：


可是，ST M28W系列的 nor flash 是以下命令：


命令不一样，操作方法也不同，可是总体方向是一致。经大半个月自己摸索，终于总结出规律，特写此贴备忘。在此感谢野火的视频教程。


一、电路连接：
STM32F103ZET6核心板：


ST　M28W320FCB　４ＭＢ　存储器：



对接管脚：


混乱不堪的实物连接：






二、FSMC、串口、GPIO设置
串口用到uart1,没什么好说。GPIO 脚用 PE2 连 nor flash 写保护 WP ； PE5 连接 nor flash 的重置 RP。其他按照 FSMC 的 NE1 连接：





三、写入步骤流程：
1、重置（低电平100ns、高电平50us）



2.解保护锁：
A.任意地址（nor flash 空间）写入：0x60B.块地址0x___000写入0xD0
C.查询存器状态（任意地址写入0x90）
读取块地址（0x___000 | 0x002）（官方代码缺少 | 002 ） 最低位状态（0为没锁）







3.擦除：
A.任意地址写入：0x20
B.块地址0x___000写入0xD0
C.任意地址读，就可以得到状态寄存器的值。等待bit7置零，然后检查bit1、3、4、5都为零，则擦除完成。


4.编程写入字节：
注意：官方说了，VPP 脚接 3.3V 到 5V 一次只能写入 2 字节。12V 可以一次写入 4 字节或 8 字节。

A.任意地址写入：0x10 或 0x40 （两个没区别）
B.在需要保存的地址写入2个字节数据。
C.任意地址读，就可以得到状态寄存器的值。等待bit7置零，然后检查bit1、3、4都为零，则写入完成。

5.返回正常读数据模式：
A.任意地址写入：0xFF


6.关于解锁块和擦除块地址的问题：
一开始，我就卡在这里，卡了好久，悟性不高都无法进行下去。
先看看它的地址地图：

解锁、擦除，输入的就是前面那个，块的开始地址，他们有个规律，都是0x___000，后面三个都是零。值得注意的是，查询锁状态是块的开始地址或上0x002 --> (0x___000 | 0x002)，最低位为0才是解锁了。




以下附上我用串口读写 nor flash 的 hex 文件，管脚连接都在前面说了，PA1 接地是写入字节，PA0 接地是读取字节（先按 PA1 提示设置读取的开始地址和结束地址，否则会默认 0 - 256M x 16bit 地址的内容）。
STM32F103ZET6串口读写ST M28W系列 nor flash 存储芯片.zip (410.73 KB, 下载次数: 12)

2019-5-12 23:18 上传

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存储空间 numonyx M28W320FC.pdf (1.31 MB, 下载次数: 10)

2019-5-12 23:20 上传

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abcrazy

沙发留给楼主占楼...

地沟油

虽然没看懂 但还是顶一下

abcrazy

地沟油 发表于 2019-5-12 21:59
虽然没看懂 但还是顶一下

我还没有编辑完，你就进来了，肯定不知道我说什么了。现在编辑完了。