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关于H桥的pnp三极管的困惑

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发表于 2020-10-16 15:34:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
1火花
如附件,Q1 Q2 Q3 Q4是一个H桥驱动直流电机的示意图
其中Q1  Q4是pnp的管子;Q2 Q3是npn的管子。假如这个电机是12V的,那么我Q1无论是高电平还是低电平,我的Q1都会导通啊,因为PNP三极管导通条件是发射极电压高于基极电压0.7V,无论Q1控制端是高电平还是低电平都满足这个条件。同理Q3也是如此,是否意味着无论高低电平我的Q1  Q3都是导通的,求解~
PS:电平的状态除了高低电平还有高阻态这个状态,高阻态和低电平感觉差不多啊,都是没有输出,假如我单片机断电后就是高阻态这个状态吧,这样pnp管也会导通,觉得不符合常理
微信截图_20201016152617.png

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我怎么贴不上图,我文字说一下看能不能说清楚: 1 一般做项目不会是Q1-Q4直接接MCU的IO的,因为MCU的电压可能就3.3或者5V,很多时候不一定能驱动成功。你这个H桥没有驱动电压不够的问题,但是可能电流不够(MCU输出能力有限),所以一般驱动电路都会在前面加一级:这个加的一级可以是三极管(类似达林顿原理)或者上面网友说的隔离光耦。MCU驱动后一级来间接驱动Q1-Q4。 2 上面的如果理解啦,那么说说Q1、Q3的问题,正常不工作情况 ...
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发表于 2020-10-16 15:34:31 | 显示全部楼层
我怎么贴不上图,我文字说一下看能不能说清楚:
1 一般做项目不会是Q1-Q4直接接MCU的IO的,因为MCU的电压可能就3.3或者5V,很多时候不一定能驱动成功。你这个H桥没有驱动电压不够的问题,但是可能电流不够(MCU输出能力有限),所以一般驱动电路都会在前面加一级:这个加的一级可以是三极管(类似达林顿原理)或者上面网友说的隔离光耦。MCU驱动后一级来间接驱动Q1-Q4。
2 上面的如果理解啦,那么说说Q1、Q3的问题,正常不工作情况下,你可以设计成Q1、Q3的G和S同电位或者不超过0.7的导通阈值(二极管、大电阻都行,上电后G S电压是一样的)。等需要驱动时,你驱动Q1、Q3后面的G基(例如打开它后一级的三极管让G基接地),而S级是一直接电源的,这样压差就有啦。
3 这中间4个管子的打开、关闭要配合好,留出一定余量让H桥同臂的不会直通烧毁,并且要考虑反相电动势泄流的问题。
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发表于 2020-10-20 17:27:24 | 显示全部楼层
这个图应该是大概描述电流走向,实际不可能是这样的。举个例子,电机逆时针选装的条件是Q2、Q3导通,就算Q1-B是高电平一样会使Q1导通,此时Q1、Q2都导通就会让Q1-E、Q2-E短路了
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发表于 2020-10-29 22:40:54 | 显示全部楼层
Q1,Q2,Q3,Q4不是直接接单片机的IO口,而是通过光耦隔离器来驱动三极管,实际使用中,用三极管也很少,一般是用MOSFET
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