1. VGS对ID及沟道的控制作用
① VGS=0 的情况
从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压VGS=0时，即使加上漏——源电压VDS，而且不论VDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流ID≈0。
② VGS>0 的情况
若VGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。
2. 导电沟道的形成：
当VGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。VGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当VGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。VGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。
上面讨论的N沟道MOS管在VGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当VGS≥VT时，才有沟道形成。这种必须在VGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压VDS，就有漏极电流产生。
VDS对ID的影响
如图(a)所示，当VGS>VT且为一确定值时，漏——源电压VDS对导电沟道及电流ID的影响与结型场效应管相似。
漏极电流ID沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大，这里沟道最厚，而漏极一端电压最小，其值为VGD=VGS－VDS，因而这里沟道最薄。但当VDS较小（VDS）
随着VDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当VDS增加到使VGD=VGS－VDS=VT(或VDS=VGS－VT)时，沟道在漏极一端出现预夹断，如图2(b)所示。再继续增大VDS，夹断点将向源极方向移动，如图2(c)所示。由于VDS的增加部分几乎全部降落在夹断区，故ID几乎不随VDS增大而增加，管子进入饱和区，ID几乎仅由VGS决定。
如何判断mos管工作状态-N沟道增强型MOS场效应管
（1）结构：N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。
（2）区别：耗尽型MOS管在VGS=0时，漏——源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在VGS≥VT时才出现导电沟道。
（3）原因：制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使VGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压VDS，就有电流ID。
如果加上正的VGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，ID增大。反之VGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小。当VGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，ID趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在VGS<0的情况下工作。而后者在VGS=0，VGS>0。
N沟道增强型MOS管MOS管曲线和电流方程
输出特性曲线
N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线
转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用VDS大于某一数值(VDS＞VGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线.?ID与VGS的近似关系。
与结型场效应管相类似。在饱和区内,ID与VGS的近似关系式为:
发表于 2024-1-9 09:19:41
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