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SDRAM初始化流程

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发表于 2016-10-7 18:16:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
问题1:在SDRAM实验中,GPIO初始化时,速度配制成50M如下图:我觉得是不是应该配置为:GPIO_Speed_100MHz 更为合理?因为SDRAM的CLK配置为90M,
当GPIO配置为50M时,对SDRAM正常工作有什么影响吗?
配置的GPIO速度不同,仅仅是功耗不同吗?

1234.png

问题2:官方不同版本的SDRAM初始化代码略有不同,有的没有向SDRAM发送下图中的预充电指令,如下图,而且自刷新指令也只发送了一次。
与手册中指定的SDRAM初始化流程不符,但是SDRAM_Test函数测试通过。能解释一下吗?
1234567.png


还有的只发送了一次自刷新指令,如标准库1.6.1版本,如下图:
1231231231.png
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发表于 2016-10-7 18:28:26 | 显示全部楼层
有的sdram要求是要2次的
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 楼主| 发表于 2016-10-7 18:33:13 | 显示全部楼层
随风 发表于 2016-10-7 18:28
有的sdram要求是要2次的

是的,就是对照官方驱动文件头中指定的SDram的手册进对照学习的。 11.png
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 楼主| 发表于 2016-10-8 12:54:08 | 显示全部楼层
问题1:未有解答。

问题2:已解决。
是我自己粗心了。预充电指令有发送,我看漏了。
AutoRefreshNumber参数在发送自动刷新指令时,指定的就是刷新指令发送的次数。发送其他指令时该参数无效。这个在教程中说的很清楚了,我也漏掉了。

1.png




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