ISO上实现二级bootloader的问题

hqhq

STM32ZET6片上FLASH的前4K存放BOOTLOADER工程，挨着BOOTLAODER后面存放APP用户程序。
BOOTLOADER先初始化外部SRAM，然后将flash中的用户程序搬移到外部SRAM中，最后跳转到SRAM
中APP的镜像去执行，出现以下错误：
APP程序是个延时函数写的LED灯闪烁程序，1S闪烁1次。发现程序转移到SRAM中后闪烁频率变低了，10几秒才闪烁1次？
为什么呢？
APP中函数在flash中运行的话，局部变量的分配本来是在内部RAM中，当程序搬移到外部SRAM中的话，局部变量分配又是什么情况？如何指定编译器使用外部SRAM分配变量？为什么我的代码不正常，
可能哪里出错了？
#include "stm32f10x.h"
#include "bsp_fsmc_sram.h"
#define   Ext_SRAM_BASE 0x68000000
#define   APP_BASE  0x08001000  //APP从这里开始存放
#define    ImageEntryPoint      0x08001131  //由KEIL生成的MAP表找到APP在FLASH中的入口地址
#define OFFSET (ImageEntryPoint-0x8000000)    //入口地址相对于FLASH起始地址的偏移
typedef void(*fptr)(void);
fptr entry;  
int main(void)
{       
         
         entry=(fptr)(Ext_SRAM_BASE+OFFSET); //计算APP程序搬移到外部SRAM中后的镜像入口
         FSMC_SRAM_Init();  //SRAM的FSMC初始化
         mem_set((uint16_t *)Ext_SRAM_BASE,0x0,0x80000); //外部SRAM清0
         mem_cpy((uint16_t *)Ext_SRAM_BASE,(uint16_t *)APP_BASE,0x5a8); //从APP_BASE处复制程序到Ext_SRAM_BASE中
         (*entry)();        //跳转到SRAM去执行
         
}

hqhq

如果BOOTLOADER是把程序搬移到STM32的片上RAM中，程序完全正常运行，为什么到外部SRAM中就不行了？（ISO开发板，野火提供的FSMC驱动，可以确定SRAM正常工作）

flyleaf

如果是想把malloc的动态内存区分配到外部sram，可以在启动文件(那个汇编文件)的stack区修改起始地址。
其它变量只要在定义的时候指定地址即可使变量定义在指定位置，可指定到外部sram

如：
const char MyText[] __at (0x1F00) = "TEXT AT ADDRESS 0x1F00";
int x __at (0x40003000);     // variable at address 0x40003000